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貨號 : G80010019 | 庫存 : 0 |
貨期 : 6-8 周 | 數量 : |
型號 : THZ-GASE-10-10-0.5 價格 : ¥15450.00 |
GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。
GaSe晶體的透過率曲線
實驗室光路系統
EOS測量及反演結果
● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
● 抗損傷閾值高
● 非線性系數大
● CO2激光的SHG
● 多種尺寸可選
● 客戶導向的解決方案
● 接受客戶定制服務
● 太赫茲時域系統
● 太赫茲源晶體
● 中遠紅外氣體探測
● CO2激光的SHG
● THZ實驗光源
● 太赫茲成像
型號 | 貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | 晶體類型 | 晶體規格 |
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