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硒化鎵晶體  2021-02-03

Z-cut;10 x 10 x 0.5mm

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貨號 : G80010019 庫存 : 0
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型號 : THZ-GASE-10-10-0.5
價格 : ¥15450.00

 

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總覽

GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。

注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。




晶體規格
10 x 10 x 0.5mm
技術參數

GaSe晶體的透過率曲線

thz1.jpg

實驗室光路系統

thz2.png


EOS測量及反演結果

thz3.png

產品特點

● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域

● 抗損傷閾值高

● 非線性系數大

● CO2激光的SHG

● 多種尺寸可選

● 客戶導向的解決方案

● 接受客戶定制服務


產品應用

● 太赫茲時域系統

● 太赫茲源晶體

● 中遠紅外氣體探測

●  CO2激光的SHG

● THZ實驗光源

● 太赫茲成像

下載
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