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銦鎵砷 InGaAs MP6514S型單光子陣列探測器組件 950~1650nm  2020-05-27

MP6514S型探測器組件由4x4陣列規格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號控制模塊組成。在蓋革工作模式下,探測器組件各像元獨立、自由運行,探測0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內微弱光信號,實時輸出TTL電信號。

產品型號
縱向   橫向
型號 貨號 操作 名稱
MP6514S E80040036 InGaAs單光子陣列探測器組件 950~1650nm   [PDF] 器件類型 InGaAs APD;工作波長 950~1650nm;陣列規模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm) 8-10周
產品特點

●光譜響應波段0.95 ~ 1.65μm  

●采用金屬封裝,器件質輕靈巧 

●像元獨立、自由運行 

●像元可探測弱光子信號 

●死時間、蓋革雪崩信號檢測閾值可調 

技術參數

探測器面陣規格


性能描述

器件類型

InGaAs APD

陣列規模

4x4

像元大小

100μm x 100μm

光敏面大小[1]

85μm x 85μm

光窗

石英光窗

感光靶面至光窗外表面間距

4mm (光窗厚度為1mm )

注[1]:單片集成微透鏡焦距150μm。


主要性能指標(Tc=22+3℃)

特性參數

參數指標

工作波長[1]

0.95 ~ 1.65μm

探測效率

≥10% ( 1.57   +0.05μm)

暗計數率

≤10KHz

時間抖動

≤500ps

死時間

100 ~ 1000ns可調

有效像元率

100%

注[1]:在工作波長范圍內選配標準窄帶濾光片。

絕對最大額定值

參數

額定值

單位

工作溫度范圍Tc

-40~+55

°C

貯存溫度范圍TSTG

-40~+70

°C

最大功耗P

15

W

輸入偏置范圍VR

4.95.5

V

靜電放電敏感度ESD

1000~2000

V

質量可靠性保證

● 產品執行GJB8121-2013《半導體光電組件通用規范》相關要求。

通用參數

封裝外形結構與尺寸(單位: mm )

zj1.png

zj2.png

電學接口

zj4.png

●電源輸入: +5V

●數據輸出類型: TTL

●控制命令接口: J63A-31

●電源輸入接口類型: J30J

●數據輸出接口類型: J63A-31

●外觸發接口: SSMA

接口編號

功能

1

SSMA-1:內同步信號輸出

2

SSMA-2:外同步信號輸入

3

J63A-31:輸出信號端口及探測器工作設置輸入信號端口

4

J30J: +5V單電源供電

產品應用

●透霧、霾、煙塵等測距

●近紅外激光告警

●遠距離激光測距

●遠距離空間激光通信










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